中國功率器件領(lǐng)路人陳星弼院士去世 享年89歲

　　陳星弼生平簡介：

　　陳星弼1931年1月28日出生于上海，1952年從同濟大學電機系畢業(yè)后，先后在廈門大學、東南大學和成都電訊工程學院(現(xiàn)電子科技大學)工作。

　　1980年，他被派往美國俄亥俄州大學做訪問學者，于1981年初轉(zhuǎn)到加州大學伯克利點校，開始進行新型半導體功率器件的研究。1983年回國后被選為系主任，不久建立了微電子研究所。他以MOS型功率器件為主要研究方向。在他率領(lǐng)下，在中國首次研制了VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等器件并開發(fā)了相關(guān)技術(shù)。

　　陳星弼院士因?qū)Ω邏汗β蔒OSFET理論與設(shè)計的卓越貢獻獲得第二十七屆國際功率半導體器件與集成電路年會(IEEE ISPSD 2015)頒發(fā)的最高榮譽“國際功率半導體先驅(qū)獎”，成為亞太地區(qū)首位獲此殊榮的科學家。2018年入選IEEE ISPSD首屆名人堂，成為首位入選名人堂的華人科學家。

　　他1999年當選為中國科學院院士，2019年當選為國際電氣與電子工程師協(xié)會終身會士。