陳星弼院士去世享年89歲 中國功率半導體領域的領路人
近日，從電子科技大學獲悉，中國科學院院士、電子科技大學教授陳星弼因病醫(yī)治無效，于4日17時10分在成都逝世，享年89歲。陳星弼1931年1月28日出生于上海，1952年從同濟大學電機系畢業(yè)后，先后在廈門大學、東南大學和成都電訊工程學院(現(xiàn)電子科技大學)工作。
1980年，他被派往美國俄亥俄州大學做訪問學者，于1981年初轉到加州大學伯克利點校，開始進行新型半導體功率器件的研究。1983年回國后被選為系主任，不久建立了微電子研究所。他以MOS型功率器件為主要研究方向。在他率領下，在中國首次研制了VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等器件并開發(fā)了相關技術。
他1999年當選為中國科學院院士，2019年當選為國際電氣與電子工程師協(xié)會終身會士。
陳星弼是我國功率半導體領域的領路人和集大成者。他是國際上首個提出超結耐壓層理論的科學家，他的超結發(fā)明專利打破傳統(tǒng)“硅極限”，被國際學術界譽為“高壓功率器件新的里程碑”。
由于世界上有近四分之三的電能是通過半導體功率器件來轉換其形式后才可以使用的，因此國外有人預言做在一塊芯片上會引起所謂"第二次電子革命"。
陳星弼的新發(fā)明解決了在普通集成電路上做功率器件的問題，打破了阻礙第二次電子革命迅速發(fā)展的桎梏。
陳星弼院士因?qū)Ω邏汗β蔒OSFET理論與設計的卓越貢獻獲得第二十七屆國際功率半導體器件與集成電路年會(IEEE ISPSD 2015)頒發(fā)的最高榮譽“國際功率半導體先驅(qū)獎”，成為亞太地區(qū)首位獲此殊榮的科學家。2018年入選IEEE ISPSD首屆名人堂，成為首位入選名人堂的華人科學家。
他著書7本，發(fā)表學術論文110多篇，申請中國發(fā)明專利20項(已授權17項)，申請美國發(fā)明專利19項(已授權16項，另有兩項已通知準備授權)，申請國際發(fā)明專利1項。獲國家發(fā)明獎及科技進步獎2項，省部級獎勵13項，完成國家自然科學基金重點項目、軍事研究項目、國家“八五”科技攻關項目多項。
